Hocheffiziente Leistungselektronik auf Siliziumkarbid-Basis
AIT entwickelt innovative Lösungen im Bereich der Leistungselektronik für die nächste Generation energieeffizienter Umrichter. Ein aktuelles Beispiel ist ein 5-stufiges Phasenschenkelmodul vom Typ E, das in Verbindung mit einem speziell entwickelten Siliziumkarbid-Leistungsmodul (SiC) von Infineon Technologies für einen dreiphasigen 12-kVA-Leistungsumrichter eingesetzt wurde.
Die Kombination aus moderner Multi-Level-Topologie und SiC-Halbleitertechnologie ermöglicht einen Betrieb mit sehr hohem Wirkungsgrad, deutlich reduzierten Schalt- und Leitungsverlusten sowie einer verbesserten Stromqualität. Gleichzeitig lassen sich Gewicht und Platzbedarf des Umrichters reduzieren, wodurch sowohl die gewichts- als auch die volumenbezogene Leistungsdichte deutlich erhöht werden.
Die entwickelte Technologie entspricht der wachsenden Nachfrage nach kompakten, leistungsstarken und ressourceneffizienten Stromumwandlungssystemen. Mögliche Anwendungsbereiche reichen von Anlagen für erneuerbare Energien und Batteriespeichern bis hin zu industriellen Antrieben und Anwendungen in der Elektromobilität. Durch die Kombination aus innovativer Topologieentwicklung, modernster Halbleitertechnologie und systemorientiertem Design leistet das AIT einen wichtigen Beitrag zur Entwicklung der energieeffizienten Leistungselektronik von morgen.
