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STRIVE

Die Leistungselektronik mit Halbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) bietet in Elektrofahrzeugen ein breites Spektrum an Vorteilen gegenüber der IGBT-Technologie. In dem Projekt STRIVE wird ein SiC-Hochleistungs-Traktionswechselrichter gebaut, um das volle Potenzial der neuen Technologie auszuschöpfen.

  • Wechselrichter auf Basis von SiC ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad sowie eine hohe Leistungsdichte und ersetzen zunehmend herkömmliche Technologien auf Siliziumbasis
  • Der Wechselrichter basiert auf speziellen SiC-Halbbrückenleistungsmodulen aus einer Vorserie, welche exklusiv vom Hersteller bereitgestellt werden
  • Der Wechselrichter soll über eine Nennausgangsleistung von 340kW und einen maximalen Phasenstrom von über 500A bei einer Zwischenkreispannung von 800V verfügen

 

Wechselrichter Prototyp

Wechselrichter-Prototyp

Eckdaten zum Projekt

  • Strive – HIGH PERFORMANCE SIC TRACTION INVERTER
  • Programm: Unabhängiges Forschungsprojekt des AIT
  • Projektdauer: 01/2019 - 03/2021

 

Projektpartner