GaN Leistungshalbleiter
GaN Leistungshalbleiter eröffnen eine Vielzahl von neuen Anwendungsmöglichkeiten. Dies kann zum Beispiel eine einfache Parallelisierung einzelner Komponenten oder ganzer Konverter für höhere Leistungen und Leistungsdichten sein. Multizellen- oder Multilevel-Topologien können helfen die Spannungsfestigkeit zu erhöhen, um den Einsatz von GaN HEMTS auch für höhere Spannungen zu ermöglichen. Auch Resonanzkonverter können die Effizienz von GaN basierten Systemen deutlich steigern.
GaN-Technologie am AIT
Der AIT GaN Inverter, ermöglicht es durch Parallelisierung diskreter GaN HEMTs die Leistungsdichte und gleichzeitig die Effizienz, im Vergleich zu konventionellen Konvertern, deutlich zu erhöhen. Der GaN Inverter ermöglicht Schaltfrequenzen bis zu 1 MHz und eine maximale Leistung von 4,5 kW (@ 72 kHz Schaltfrequenz). Die Topologie ermöglicht den Einsatz als bidirektionaler AC/DC Konverter, sowie als bidirektionalen DC/DC Konverter.
